성명 : 범 진 욱 范 鎭 旭 근무처 서울 마포구 백범로 35 서강대학교 공과대학 전자공학과 교수 전화 : (02) 705-8909 팩스 : (02) 706-4216 실험실 : (02) 714-6205 E-mail : burm@sogang.ac.kr

학력

서울대학교 자연과학대학 물리학과 졸업 학사 1987년 2월

미시간 대학교 (University of Michigan, Ann Arbor, MI) 물리학과 석사 1988년 12월

코넬대학교 (Cornell University, Ithaca, NY) 응용물리학과 석사 1992년 8월

코넬대학교 (Cornell University, Ithaca, NY) 응용물리학과 박사 1995년 5월

경력

Postdoctoral Associate, 코넬대학교 1995년 7월-1996년 8월

연구원, 벨연구소 (Bell Labs., Murray Hill, NJ) 1996년 9월-1998년 2월

서강대학교 공과대학 전자공학과 조교수 1998년 3월

서강대학교 공과대학 전자공학과 정교수 현재

연구분야

응용회로 : 광통신용 고속회로 (10 Gbit/s와 40Gbit/s), 초고주파 집적회로 (RFIC, MMIC), Analog Front End 회로 Sensor interface 회로

반도체 소자 : GaN계 반도체소자 (주로 FET), GaAs계 반도체소자 (Photodetector와 HEMT), InP계 반도체소자 (Photodetector, HEMT, HBT) Schottky Barrier, Ohmic Contact, Carrier Transport, CMOS

학위논문

Monolithic Millimeter Wave Optical Receivers Using Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors and Pseudomorphic Modulation Doped Field Effect Transistors, Cornell University, May (1995)

저서

J. Burm, “GaN Based Transistors”, Chapter C4, Electronic Materials Information Service Datareview Series, J. H. Edgar, T. Strite, I. Akasaki, and H. Amano, Ed., in preparation to be published by The Institution of Electrical Engineers, Hertfordshire, United Kingdom.